EN61326標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試辦理要求及流程有哪些？隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展和工業(yè)自動(dòng)化的普及，測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的電磁兼容性和電氣安全性越來越受到重視。EN61326標(biāo)準(zhǔn)，作為這一領(lǐng)域的關(guān)鍵規(guī)范，為相關(guān)設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試提供了明確的指導(dǎo)。

EN61326標(biāo)準(zhǔn)概述

EN61326標(biāo)準(zhǔn)是針對(duì)測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室用電氣設(shè)備的電磁兼容性（EMC）要求而制定的國際標(biāo)準(zhǔn)。近年來，EN61326-1:2013取代了EN61326-1:2006，成為歐盟官方期刊中的強(qiáng)制性要求，并于2015年8月14日正式生效。這一更新旨在使標(biāo)準(zhǔn)更加適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展需求，確保設(shè)備在復(fù)雜電磁環(huán)境中的穩(wěn)定性和安全性。

電磁兼容性測(cè)試要點(diǎn)
1、發(fā)射測(cè)試
EN61326標(biāo)準(zhǔn)要求設(shè)備在工作時(shí)不會(huì)產(chǎn)生對(duì)其他設(shè)備造成干擾的電磁場(chǎng)。這意味著設(shè)備在設(shè)計(jì)和制造時(shí)需要考慮電磁輻射的控制，并通過相應(yīng)的發(fā)射測(cè)試來驗(yàn)證其符合要求。具體測(cè)試內(nèi)容包括：
2、射頻輻射發(fā)射測(cè)試：模擬設(shè)備在正常工作狀態(tài)下的電磁輻射情況，確保輻射水平不超過標(biāo)準(zhǔn)限值。
傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試：檢測(cè)設(shè)備通過電源線、信號(hào)線等傳導(dǎo)路徑對(duì)其他設(shè)備的干擾。
抗擾度測(cè)試
抗擾度測(cè)試是評(píng)估設(shè)備在遭受外部電磁干擾時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。EN61326標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多種抗擾度測(cè)試方法，包括：
3、靜電放電（ESD）測(cè)試：模擬人體或其他物體對(duì)設(shè)備產(chǎn)生的靜電放電，驗(yàn)證設(shè)備的抗靜電干擾能力。從EN61326-1:2006到EN61326-1:2013，靜電放電的測(cè)試水平從±4kV空氣放電增加到±8kV空氣放電，旨在使標(biāo)準(zhǔn)更接近非實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。
射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度測(cè)試：模擬無線電波等射頻電磁場(chǎng)對(duì)設(shè)備的干擾，評(píng)估設(shè)備的抗射頻干擾能力。
電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試：模擬電源線上由于開關(guān)操作等產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖干擾，驗(yàn)證設(shè)備的抗瞬態(tài)脈沖能力。
4、電氣安全性測(cè)試要點(diǎn)

EN61326標(biāo)準(zhǔn)不僅關(guān)注設(shè)備的電磁兼容性，還強(qiáng)調(diào)其電氣安全性。具體測(cè)試要點(diǎn)包括：

5、絕緣電阻測(cè)試：測(cè)量設(shè)備內(nèi)部不同電路之間的絕緣電阻，確保絕緣性能符合安全要求。
6、介電強(qiáng)度測(cè)試：對(duì)設(shè)備施加高于正常工作電壓的高壓，驗(yàn)證設(shè)備的絕緣系統(tǒng)能否承受可能發(fā)生的過電壓而不發(fā)生擊穿。

7、接地電阻測(cè)試：檢查設(shè)備的接地系統(tǒng)是否有效，確保在故障情況下能夠?qū)㈦娏餮杆賹?dǎo)入大地，防止觸電事故發(fā)生。

新版標(biāo)準(zhǔn)的主要變化
與EN61326-1:2006相比，EN61326-1:2013在多個(gè)方面進(jìn)行了更新和補(bǔ)充：
1、增加與“允許的性能損失”相關(guān)的部分：如果制造商未確定低性能級(jí)別或允許的性能損失，用戶可以根據(jù)設(shè)備或產(chǎn)品文檔的合理期望推斷它們。這一變化有助于用戶更好地理解設(shè)備在特定條件下的性能表現(xiàn)。
2、引用標(biāo)準(zhǔn)的更新：從參考CISPR 11:2003更新為參考CISPR 11:2009+A1:2010，為“小型設(shè)備”在3米測(cè)試距離處建立了替代輻射發(fā)射限值。同時(shí)，靜電放電的測(cè)試水平也得到提高，以更好地模擬非實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。
3、新增對(duì)磁敏設(shè)備的要求：對(duì)于霍爾效應(yīng)傳感器和磁繼電器等磁敏設(shè)備，EN61326-1:2013增加了對(duì)工頻磁抗擾度（IEC 61000-4-8）的新要求，測(cè)試水平為3A/m。這一變化旨在提高磁敏設(shè)備在復(fù)雜電磁環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。
4、端口類別的調(diào)整：EN61326:2006中的“Measurement I/O”端口類別在新版標(biāo)準(zhǔn)中被刪除，相關(guān)端口現(xiàn)歸入“I/O信號(hào)/控制”類別。這一調(diào)整使得測(cè)試級(jí)別的定義更加統(tǒng)一和規(guī)范。

EN61326標(biāo)準(zhǔn)作為測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室用電氣設(shè)備的電磁兼容性要求的重要規(guī)范，對(duì)于提升設(shè)備的電磁兼容性和電氣安全性具有不可替代的作用。企業(yè)應(yīng)加強(qiáng)對(duì)該標(biāo)準(zhǔn)的理解和應(yīng)用，提高自身的技術(shù)能力和水平，以應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的電磁環(huán)境和不斷更新的標(biāo)準(zhǔn)要求。通過全面的測(cè)試和驗(yàn)證，確保設(shè)備在復(fù)雜環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性，為產(chǎn)品的順利上市和廣泛應(yīng)用打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

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